セッション詳細

[7a-N301-1~11]15.4 III-V族窒化物結晶

2025年9月7日(日) 9:00 〜 12:00
N301 (共通講義棟北)

[7a-N301-1]RF-MBE法を用いた低温AlN成長におけるAlリッチ成長条件下での
Al/AlN積層構造形成

〇田中 練1、川端 重温1、中本 トラン2、藤井 高志3、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.R-GIRO、3.立命館大総研)

[7a-N301-2]透過電子顕微鏡を用いたRF-MBE低温成長AlNの極微構造評価

〇川端 重温1、田中 練1、中本 トラン2、藤井 高志3、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.R-GIRO、3.立命館大総研)

[7a-N301-3]スパッタ・アニール法による半極性(11-22)AlNの結晶性向上

〇小林 大樹1、赤池 良太1,2、大矢 健世1、安永 弘樹2,3、中村 孝夫1,2、三宅 秀人1,2 (1.三重大院工、2.三重大半デセンター、3.三重大研基機構)

[7a-N301-4]スパッタAlN上へのMOVPE法によるAlNの高温成長

〇(M2)松原 優翔1、藤井 滉樹1、髙柳 祐介1、林 悠希矢1、清水 蒼輝1、高島 祐介1,2、直井 美貴1,2、前岡 淳史3、大澤 篤史3、高辻 茂3、木村 貴弘3、永松 謙太郎1,2 (1.徳島大理工、2.徳島大ポストLEDフォトニクス研究所、3.(株)SCREENホールディングス)

[7a-N301-5]r面サファイア基板の熱処理による非極性面AlNの面方位制御

〇森 新之助1、赤池 良太1,2、安永 弘樹2,3、中村 孝夫1,2、三宅 秀人1,2 (1.三重大院工、2.三重大半デセンター、3.三重大研基機構)

[7a-N301-6]AFHT-MOCVD法におけるDiamond(111)基板上へのAlNエピタキシャル成長

〇沈 旭強1、加藤 宙光1、加藤 有香子1、牧野 俊晴1、児島 一聡1 (1.産総研)

[7a-N301-7]X線ロッキングカーブからのAlN膜における螺旋転位密度の推定

〇原 蓮之介1、赤池 良太1,2、安永 弘樹2,3、中村 孝夫1,2、三宅 秀人1,2 (1.三重大院工、2.三重大半デセンター、3.三重大研基機講)

[7a-N301-8]AlN基板上GaN、AlGaNの特異な歪緩和機構

〇鷲山 瞬1、井上 振一郎1 (1.情通機構)

[7a-N301-9]スパッタ・アニール法による半極性(11-22)AlN上へのAlGaN多重量子井戸作製

〇大矢 健世1、赤池 良太1,2、安永 弘樹2,3、中村 孝夫1,2、三宅 秀人1,2 (1.三重大院工、2.三重大半デセンター、3.三重大研基機構)

[7a-N301-10]スパッタ成長高Al組成Si-doped AlGaNへのin-situオーミック電極の形成

〇(DC)内藤 愛子1、上野 耕平1、藤岡 洋1 (1.東大生研)

[7a-N301-11]超高耐圧AlN/Al0.9Ga0.1N/AlNマルチチャネルトランジスタの作製

〇小坂 鷹生1、上野 耕平1、藤岡 洋1 (1.東大生研)