講演情報
[7a-N321-4]全反射減衰THz分光におけるs波Brewster現象を用いた薄膜キャリア層の高感度評価
〇(DC)干 敏霞1、花房 宏明1、角屋 豊1 (1.広大院先進)
キーワード：
テラヘルツ分光エリプソメトリー、自由キャリア輸送、ワイドバンドギャップ半導体
ワイドギャップ半導体は近年注目されているが，デバイス性能に関わる表面近傍薄膜キャリア層の非破壊評価が課題である．テラヘルツ時間領域分光エリプソメトリーは有望であるが，従来法は薄膜で感度が低い．本研究では，感度を大幅に向上させるため，s偏光全反射減衰法を提案する．実験により従来法比で約7倍の感度向上を確認し，さらに従来法と組み合わせて振幅情報のみからのキャリア密度と移動度の識別可能性を示した．