[7a-N322-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[7a-N322-3] SiO₂/β-Ga₂O₃ MOS構造の界面及び膜中欠陥に対する希釈水素熱処理の効果

〇前田 兼成¹、小林 拓真¹、原 征大¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：

Ga2O3、MOS、界面準位密度