講演情報
[7a-N322-4]O3を酸化剤に適用した原子層堆積法によるAl2O3/β-Ga2O3 (001)MOS界面準位密度の低減効果
〇田村 敦史1、前川 紘億2、喜多 浩之1,2 (1.東大院新領域、2.東大院工)
キーワード：
Ga2O3、MOS、界面準位密度
β-Ga2O3 MOSの界面特性は絶縁膜材料やアニール処理で大きく変化する。本研究では，β-Ga2O3 (001) 基板上にO3を酸化剤として用いてALD-Al2O3を成膜することで，界面準位密度（Dit）を1×1010 cm-2eV-1程度に低減することに成功した。よって、低温PDA（600°C）でも酸化力の強いO3用いることでMOS界面準位の低減が可能であることが示された。