2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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10:00 〜 10:15
奨励賞エントリー
[7a-N322-5]
SiO
2
/
β
-Ga
2
O
3
構造への熱処理が界面特性と基板ドナー密度に及ぼす影響
〇森田 拓実
1
、小林 拓真
1
、前田 兼成
1
、原 征大
1
、渡部 平司
1
(1.阪大院工)
キーワード：
Ga2O3、MOS、ドナー密度
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