[7a-N322-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[7a-N322-7] β-Ga₂O₃ MPS ダイオードに向けた NiO 膜の酸素分圧制御

〇佐々木 結衣¹、奥村 宏典¹、Traore Aboulaye²、Jia Yun¹、中野 晃汰¹、櫻井 岳暁¹ (1.筑大数理、2.USPN)

キーワード：

ワイドバンドギャップ半導体、酸化ガリウム、酸化ニッケル