講演情報
[7a-N405-5]Ag2Te抵抗変化素子におけるRF波印加回数および周波数依存性
〇(M1)山澤 隼1、土橋 裕太1、中岡 俊裕1 (1.上智理工)
キーワード：
カルコゲナイド、RF波、抵抗スイッチング
近年のAI技術の発展に伴い、次世代アーキテクチャとして、人間のシナプス動作を模倣したアナログメモリ素子が注目を集めている。特に、CBRAM（Conductive Bridge RAM）やPRAM（Phase-Change RAM）といった抵抗変化型メモリにおける多値抵抗状態を、シナプス重みとして応用する研究が活発化している。本研究では、単斜晶Ag₂Teを用いた抵抗変化素子にRF波を印加することで、シナプス重みに対応する抵抗値が変調可能であることを示したのでこれを報告する。