[7a-P04-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[7a-P04-1] SiドープGaAsNの光吸収特性における電子濃度依存性

〇貞國 冬篤¹、平沼 光登¹、塚崎 貴司²、藤田 実樹³、牧本 俊樹¹ (1.早大理工、2.ADCAP、3.一関高専)

キーワード：

Si-GaAsN、光吸収特性、RF-MBE法

SiドープGaAsNにおける光吸収特性の電子濃度依存性を評価した。SiドープGaAsNの光吸収端 (Eab)はアンドープ時より増加した。また、電子濃度の上昇に伴ってSiドープGaAsNのEabとアンドープGaAsNのEabの差(ΔEab)も大きくなった。これは、N添加により分布している局在準位がSiドープにより深いものから順に占有され、より浅い準位まで電子が励起していく結果と考えらます。