講演情報
[7a-P04-2]AlGaAsNにおけるフォトルミネッセンス発光の成長温度依存性
〇安部 紗和1、南 奈津1、田中 創太1、塚崎 貴司2、藤田 実樹3、牧本 俊樹1 (1.早稲田大学、2.ADCAP、3.一関高専)
キーワード：
BeドープAlGaAsN、RF-MBE法、フォトルミネッセンス測定
本研究では、480 ℃で成長したBeドープAlGaAsNのPL発光ピークにおける成長温度依存性から、局在準位を介するPL発光ピークと伝導帯を介するピークを観測した。580 ℃で成長したBeドープAlGaAsNと比較して、局在準位を介したピークのPL発光強度を約20倍に増加させることができた。また、低温において、GaAsNでは局在準位に関するピークが支配的であるのに対して、AlGaAsNでは伝導帯由来のピークの強い発光を観測できた。