[7a-P05-1~80] 17 ナノカーボン・二次元材料（ポスター）

[7a-P05-22] 半導体表面におけるナノカーボン・アシストエッチングの基礎特性
ー触媒膜の厚みが選択エッチングに与える影響の解明ー

〇桑田 直希¹、山本 聖也¹、稲垣 耕司¹、有馬 健太¹ (1.阪大院工)

キーワード：

ナノカーボン触媒、ウェットエッチング、ゲルマニウム表面

我々は、ナノカーボン触媒と接触したGe表面が水中で選択的に溶解する「ナノカーボン・アシストエッチング」を見出した。本報告では、異なる膜厚のナノカーボン膜をパターン形成し、触媒膜厚がエッチング特性に与える影響を調査した。膜厚増加と共にエッチング速度が減少する傾向が確認された。これは、膜厚に伴う物質輸送経路の変化、及び、ナノカーボンの電気的特性に起因すると予想される。