講演情報
[7a-P05-32]SiC上グラフェンの電界効果トランジスタ構造形成と伝導評価
〇黄 天辰1、和田 万里2、渡邊 賢司3、谷口 尚3、田中 悟2、神田 晶申1 (1.筑波大数理物質、2.九大院工、3.NIMS)
キーワード：
グラフェン、トランジスタ、シリコンカーバイド
本研究では、SiC上にCVD成長されたグラフェンに対して、剥離グラフェンに対して行われる処理を施し、移動度を改善することを目的とする。残留キャリア密度の低減のため、六方晶窒化ホウ素hBNをゲート絶縁膜として利用する。グラフェンと電極間の接触抵抗を低減するため、グラフェンの側面から電極が接触させるエッジコンタクト構造を使用する。試作したトランジスタにおいては、ゲートの最小幅500 nm、位置合わせ精度150 nmを達成した。