講演情報
[7a-P05-45]Au/SiO2界面のW薄膜硫化によるWS2薄膜直接成長
〇(M2)秋元 千佳1、上野 啓司1、リム ホンエン1 (1.埼玉大院理工)
キーワード：
二硫化タングステン、界面直接成長
遷移金属ダイカルコゲナイドの一種であるWS2は、良好な半導体特性を示すため、電界効果トランジスタへの応用が期待されている。従来のデバイス化では、殆どが薄膜を成長させた後に電極を作製しているが、フォトレジストの残留物による汚染や薄膜の劣化等の問題が生じ、デバイス性能が低下する恐れがある。そこで、予め基板にW 薄膜、Au 薄膜を作製し、硫化を行うことで、WS2 薄膜を直接成長させることを試みた。