講演情報

[7a-P05-61]WSe2上のALD実現に向けたUV-O3暴露と真空アニールによる最表面へのSe欠陥導入

〇榎本 璃玖1、松田 健生1、柯 梦南2、クリューガー ピーター1、青木 伸之1 (1.千葉大融合理工、2.横浜国大)

キーワード:

遷移金属ダイカルコゲナイド、2次元物質、high-k 絶縁膜