講演情報
[7a-P05-69]硫化ガリウムをバッファ層とする層状物質チャネル電界効果トランジスタにおけるヒステリシスの低減
〇(M1)椎名 嶺1、リム ホンエン1、上野 啓司1 (1.埼玉大院理工)
キーワード：
ヒステリシス、硫化ガリウム、バッファ層
MoS₂などの層状物質をチャネル層に用いたFETでは、SiO₂ゲート表面の凹凸や極性官能基に起因するキャリアトラップにより移動度が低下する問題がある。絶縁層状物質であるGaSをバッファ層に用いることで移動度の向上が確認されたが、硫黄欠陥に起因する正電荷トラップによりヒステリシスの増大も報告されている。本研究では，GaSの厚さとヒステリシスの関係を調べるとともに，硫黄アニール処理を行うことでヒステリシスの低減を図った．