[7a-P05-1~80] 17 ナノカーボン・二次元材料（ポスター）

[7a-P05-75] WSe₂上へのF6-TCNNQ単層膜によるデュアルゲートFETの特性向上

〇松田 健生¹、野口 裕士¹、瀬戸 大暉¹、柯 梦南²、熊谷 翔平³、岡本 敏宏³、青木 伸之¹ (1.千葉大院、2.横国大院、3.科学大院)

キーワード：

半導体、遷移金属ダイカルコゲナイド、原子層堆積法