講演情報
[7a-P05-78]TaS2上にオゾン酸化形成したTaOx膜をゲート誘電体とするMoS2 FETのヒステリシス特性
〇(M2)佐橋 悠太朗1、稲田 貢1、上野 啓司2、山本 真人1 (1.関西大院理工、2.埼玉大院理工)
キーワード：
二次元半導体、酸化タンタル、high-k誘電体
酸化タンタルは20以上の高い比誘電率を有することから、二次元半導体電界効果トランジスタ(FET)におけるゲート誘電体への応用が期待されている。我々はTaS2をオゾン酸化して形成したTaOxを用いてMoS2 FETを作製しており、過去の研究同様に1V以下の低電圧動作を報告している。本研究では、TaS2のオゾン酸化によって得られたTaOxをゲート誘電体とするMoS2 FETのヒステリシス特性を評価した。