[7a-S103-1~7] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術（２）

11:05 〜 11:20

[7a-S103-4] Co-ALDにおけるCCTBA吸着立体障害効果の検討

〇玉置 直樹¹、山口 潤¹、佐藤 登¹、筑根 敦弘¹、霜垣 幸浩¹ (1.東大院工)

キーワード：

原子層成長、分子吸着、GPC

金属CoのALDは、Cu配線を延命するCap層形成の手法として期待される他、磁気センサー等への応用も検討されている。ALDサイクルあたりの製膜量は原料分子の飽和吸着密度に比例するが、特に遷移金属表面では原料分子が分解反応を起こす複雑なメカニズムが予想される。機械学習ポテンシャルを用いた分子動力学計算によってCCTBAの吸着過程を解析した結果について報告する。