2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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シンポジウム(口頭講演)シンポジウム：原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術（２）

[7a-S103-1~7]原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術（２）

2025年9月7日(日) 10:00 〜 12:05
S103 (共通講義棟南)
百瀬 健(熊本大)、 霜垣 幸浩(東大)
最先端半導体デバイス製造において重要性が高まる原子層成長（ALD）・エッチング（ALE）を対象に、プロセスサイエンスを中心とした選択性制御、その場観察、原子レベルシミュレーションなどに関する最新研究および将来技術を議論します。午前の部では、2件の招待講演（韓国ALDワークショップの紹介、機械学習を用いた製膜プロセス最適化）を予定しています。
Sponsor
Matlantis　T15_TEL  T15_PIEZO　    ALDJapan　TANAKAN　高純度化学研究所  大陽日酸　Chipmetrics
   Horiba　気相成長   JAC
10:00 〜 10:05

[7a-S103-1]オープニング

〇霜垣 幸浩1 (1.東大院工)
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10:05 〜 10:35英語発表

[7a-S103-2]20 Years of the Korea ALD Workshop: History and Development

〇Hyeongtag Jeon1 (1.Hanyang University)
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10:35 〜 11:05

[7a-S103-3]機械学習と数理モデルを用いた半導体成膜プロセスの開発

〇京兼 広和1 (1.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ株式会社)
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11:05 〜 11:20

[7a-S103-4]Co-ALDにおけるCCTBA吸着立体障害効果の検討

〇玉置 直樹1、山口 潤1、佐藤 登1、筑根 敦弘1、霜垣 幸浩1 (1.東大院工)
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11:20 〜 11:35英語発表

[7a-S103-5]Investigation of Residual Carbon Concentration in Al2O3-ALD
Using Kinetic Monte Carlo Simulation

〇(M2)Yichen ZOU1, Yuxuan Wu1, Jun Yamaguchi1, Noboru Sato1, Atsuhiro Tsukune1, Yukihiro Shimogaki1 (1.The Univ. Tokyo)
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11:35 〜 11:50

[7a-S103-6]SiON膜における酸化源供給後の表面状態に関する検討

〇嶋田 章吾1、袴塚 充寛1、佐野 敦1、服部 真也1、藪 聡志1、柄澤 元1 (1.KOKUSAI ELECTRIC)
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11:50 〜 12:05奨励賞エントリー

[7a-S103-7]アミノ系Siプリカーサのリガンドの相違によるSiO2成長への影響

〇(D)土射津 佑起1、大塚 照久2、山崎 将嗣2、大堀 大介1、遠藤 和彦1 (1.東北大流体研、2.産総研)
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