2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

シンポジウム(口頭講演)シンポジウム：原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術（２）

[7a-S103-1~7]原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術（２）

2025年9月7日(日) 10:00 〜 12:05
S103 (共通講義棟南)
Sponsor
T15_TEL  T15_PIEZO
10:00 〜 10:05

[7a-S103-1]オープニング

〇霜垣 幸浩1 (1.東大院工)
10:05 〜 10:35英語発表

[7a-S103-2]20 Years of the Korea ALD Workshop: History and Development

〇Hyeongtag Jeon1 (1.Hanyang University)
10:35 〜 11:05

[7a-S103-3]機械学習と数理モデルを用いた半導体成膜プロセスの開発

〇京兼 広和1 (1.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ株式会社)
11:05 〜 11:20

[7a-S103-4]Co-ALDにおけるCCTBA吸着立体障害効果の検討

〇玉置 直樹1、山口 潤1、佐藤 登1、筑根 敦弘1、霜垣 幸浩1 (1.東大院工)
11:20 〜 11:35英語発表

[7a-S103-5]Investigation of Residual Carbon Concentration in Al2O3-ALD
Using Kinetic Monte Carlo Simulation

〇(M2)Yichen ZOU1, Yuxuan Wu1, Jun Yamaguchi1, Noboru Sato1, Atsuhiro Tsukune1, Yukihiro Shimogaki1 (1.The Univ. Tokyo)
11:35 〜 11:50

[7a-S103-6]SiON膜における酸化源供給後の表面状態に関する検討

〇嶋田 章吾1、袴塚 充寛1、佐野 敦1、服部 真也1、藪 聡志1、柄澤 元1 (1.KOKUSAI ELECTRIC)
11:50 〜 12:05奨励賞エントリー

[7a-S103-7]アミノ系Siプリカーサのリガンドの相違によるSiO2成長への影響

〇(D)土射津 佑起1、大塚 照久2、山崎 将嗣2、大堀 大介1、遠藤 和彦1 (1.東北大流体研、2.産総研)
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