[7a-S103-1~7] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術（２）

11:35 〜 11:50

[7a-S103-6] SiON膜における酸化源供給後の表面状態に関する検討

〇嶋田 章吾¹、袴塚 充寛¹、佐野 敦¹、服部 真也¹、藪 聡志¹、柄澤 元¹ (1.KOKUSAI ELECTRIC)

キーワード：

表面分析、分子シミュレーション

本研究では、SiON膜における酸化源暴露後の表面状態解明のため、暴露量を調整したサンプルを準備し、表面分析を行うとともに分子シミュレーションを用いた理論的な評価を実施した。各表面状態をStatic-SIMS分析で解析した結果、酸化源暴露後もSiOH^-は観測されずSiNH2⁺に起因するピークが観測され、GPCと相関をとることで表面活性サイトの同定を実施した。本発表では、計算科学の観点から理論的に表面状態を考察した結果も述べる。