[7p-N202-1~14] 6.4 薄膜新材料

13:30 〜 13:45

[7p-N202-1] [分科内招待講演] 第一原理計算を用いた 4H-SiC に発生する基底面転位の拡張機構解明

〇佐野 雅季¹、小島 淳²、恩田 正一²、依田 孝³、大場 隆之³、押山 淳²、白石 賢二² (1.名大院工、2.名大未来研、3.東京科学大 WOW Alliance)

キーワード：

SiC、基底面転位、第一原理計算