講演情報
[7p-N301-5]配向制御した(100)配向希土類元素ドープエピタキシャルHfO2薄膜の合成と評価
〇(M2)土屋 裕太郎1、胡 雨弦1、岡本 一輝1、山岡 和希子2、加賀谷 康永2、井上 ゆか梨2、舟窪 浩1 (1.東京科学大学、2.TDK株式会社)
キーワード：
強誘電体、酸化ハフニウム、パルスレーザー堆積法
HfO2 の自発分極値を実験的に確認するには、分極軸を含む短軸を面外配向[(010)/(001)配向]させた膜の作製が必要になる。我々が行った研究では、面内の長軸の格子を下部層と格子整合させることで、面外方向に短軸を配向させることが明らかになった。本研究では、イオン半径が異なり、格子定数の異なる膜の作製が期待できる種々のランタノイドをドープしたHfO2 膜を用いて、配向制御を試みた。