講演情報
[7p-N301-8]HfO2系強誘電体キャパシタの書き換え耐久性の電界依存
〇糸矢 祐喜1、更屋 拓哉1、平本 俊郎1、小林 正治1,2 (1.東大生研、2.東大d.lab)
キーワード：
強誘電体材料、強誘電体キャパシタ、絶縁破壊
我々は、HfO2系強誘電体キャパシタの絶縁破壊メカニズムの解明に向け、サイクル耐久性の電界依存について電極サイズ、膜厚、動作温度の影響を調べ耐久性モデルの構築を目指した。耐久性の電界依存から低電界、中間、高電界で異なる電界依存を持つことを示した。そして、電極サイズ、膜厚、動作温度による耐久性や強誘電特性の変化から高電界側ではストレス電圧によるリーク電流が、低電界側では分極疲労が関係することを示した。