講演情報
[7p-N301-9]極薄膜強誘電体Hf0.5Zr0.5O2におけるwake-up物理機構モデルのシミュレーション検証
〇伊藤 広恭1、竹中 充1、高木 信一1,2、トープラサートポン カシディット1 (1.東大院工、2.帝京大先端総研)
キーワード：
HfO2系強誘電体、wake-up
本研究では、膜厚4 nmのHf0.5Zr0.5O2 （HZO）に対し、酸素移動を組み込んだwake-up物理モデルの妥当性をシミュレーションにより検証した。得られたシミュレーション結果は、実験結果と良好に一致し、提案モデルの妥当性を支持するものであった。本モデルは、今後のデバイス設計においてwake-up制御や信頼性評価への応用が期待される。