講演情報
[7p-N302-10]MoS2膜上のスパッタAlシード層挿入Al2O3膜のバンドギャップ向上
〇田賀 充1、野澤 俊輔1、星井 拓也1、角嶋 邦之1、若林 整1 (1.東京科学大学)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド、二硫化モリブデン、シード層
トランジスタの微細化に伴い、TMDCへの注目が高まっている。TMDC膜上の絶縁膜の堆積方法としてALD法が用いられているが、表面にダングリングボンドが存在しないため界面に欠陥が生じる恐れがある。そこでシード層が研究されているが、従来は蒸着により成膜されていた。一方で、スパッタ法のほうが工業応用性に優れていることから、本研究ではTMDC膜上にスパッタ法でシード層を堆積することによる絶縁膜のバンドギャップを評価した。