講演情報
[7p-N302-11]準安定層状半導体SiTe2の薄膜合成及び電気的特性評価
〇外池 巧樹1、畑山 祥吾2、金 美賢1、齊藤 雄太3,2,1 (1.東北大工、2.産総研SFRC、3.東北大GXT)
キーワード：
二次元材料、シリコンダイテルライド、準安定
本講演では新規トランジスタチャネル材料の創製を目的とし，新規準安定半導体であるSiTe2に関し発表する。SiTe２薄膜のアモルファスからの結晶化による単相合成を目指し、基板上組成や熱処理温度、cap材などについて検討する。今回はcap材にHfO2を使用したサンプルに関し，X線回折や構造観察の結果について報告する。また異なる条件におけるホール移動度などの電気的特性や、それらの層数による依存性の計算結果などについても発表する。