[7p-N302-1~19] 17.3 層状物質

14:15 〜 14:30

[7p-N302-4] W スパッタ膜の硫化による WS₂超薄膜の作製

〇高木 颯¹、和田 悠佑¹、大橋 史隆^1,2、ジャ ヒマンシュ^1,2、久米 徹二^1,2 (1.岐阜大院自、2.岐阜大工)

キーワード：

半導体、二硫化タングステン、遷移金属ダイカルコゲナイド