講演情報
[7p-N302-9]高エネルギーイオン照射法による窒化炭化ホウ素の作製
〇圓谷 志郎1、滝沢 優2、好田 誠3,1 (1.量研、2.立命館大、3.東北大)
キーワード：
窒化炭化ホウ素、X線吸収分光、二次元半導体
窒化炭化ホウ素(BxCyNz, BCN)はグラファイトと類似の構造を持ち，バンドギャップが調整可能な二次元半導体であることから光学素子等，幅広い応用が期待されている物質である。BCNの基礎物性を明らかにし産業応用への道筋をつけるためには，連続的なシート状のBCN薄膜の形成法の確立が不可欠である。本研究では，高エネルギー重イオン照射による非平衡励起反応場を利用することで，大面積のBCN薄膜の作製法を開発した。