2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[7p-N401-1~16]13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

2025年9月7日(日) 13:30 〜 18:15
N401 (共通講義棟北)
13:30 〜 13:45

[7p-N401-1]半導体超格子におけるミニバンド構造に起因したテラヘルツ波発生

〇長谷川 尊之1、田 智樹1、藤元 章1 (1.大阪工大工)
13:45 〜 14:00

[7p-N401-2]半導体光共振器中での電気光学効果を利用したテラヘルツ電界センサ：位相差信号の周波数依存性

〇北田 貴弘1、原田 幸弘2、海津 利行3、南 康夫4、小島 磨5、喜多 隆2、和田 修6 (1.松江高専、2.神戸大院工、3.電通大、4.日大生産工、5.千葉工大工、6.神戸大)
14:00 〜 14:15

[7p-N401-3]GaAs/AlAs多重量子井戸における励起子共鳴励起条件下での差周波混合信号に対する自由キャリアの効果

〇許 家銘1、小島 磨1、Steer Matthew2、Hogg Richard2,3 (1.千葉工大院工、2.Univ. Glasgow、3.Aston Univ.)
14:15 〜 14:30

[7p-N401-4]Si基板上のGaSb/AlGaSb多重量子井戸における励起子発光の偏光特性に対する歪みの効果

〇山口 大輝1、小島 磨1、赤羽 浩一2 (1.千葉工大、2.情報通構)
14:45 〜 15:00

[7p-N401-5][第58回講演奨励賞受賞記念講演] 伝送デュアルコム非同期光サンプリングによる量子ドットダイナミクスのマルチ時間スケール空間マッピング

〇阿讃坊 元1,2、柴田 理来1,2、高橋 雄士朗1,2、赤羽 浩一3、渡邉 紳一1,2、早瀬 潤子1,2 (1.慶大理工、2.慶大 CSRN、3.NICT)
15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[7p-N401-6]GaNAs量子井戸とトンネル結合したInGaAs量子ドットにおける円偏光度振動特性の電界制御

〇坂野 駿介1、木瀬 寛人1、高山 純一1、村山 明宏1、樋浦 諭志1 (1.北大院情報科学)
15:15 〜 15:30

[7p-N401-7]GaNAs量子井戸で挟まれたInGaAs量子ドットの円偏光発光特性の印加電圧依存性

〇中舘 恭太1、木瀬 寛都1、森田 彩乃1、高山 純一1、村山 明宏1、樋浦 諭志1 (1.北大院情報科学)
15:30 〜 15:45

[7p-N401-8]InAs量子ドット層を含むGaAs結晶の光変調反射スペクトルに対する窒素層導入効果

〇小島 磨1、井上 知也2、喜多 隆2 (1.千葉工大工、2.神戸大院工)
16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[7p-N401-9]InGaNナノプレートレットの選択的エッチングおよび再成長による波長制御と欠陥軽減化

〇(DC)韓 青原1、蔡 文トウ2、王 嘉2,3、伊藤 佑太1、古澤 優太2、王 海涛2、鄭 惠貞1,2,4、Pristovsek Markus2、本田 善央2,3,4、天野 浩2,3,4 (1.名大電子、2.名大IMaSS、3.名大高等研究院、4.名大Dセンター)
16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[7p-N401-10]薄膜SOI上のInGaAsコアマルチシェルナノワイヤ選択成長と縦型ゲートオールアラウンドトンネルFETの作製

〇(M1)藤本 開1,2、谷山 慶太1,2、東 佑樹1,2、内田 凌聖1,2、本久 順一1,2、冨岡 克広1,2 (1.北海道大、2.RCIQE)
16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[7p-N401-11]InPナノワイヤ構造相転移ヘテロ接合縦型トランジスタの作製

〇内田 凌聖1,2、東 佑樹1,2、谷山 慶太1,2、本久 順一1,2、冨岡 克広1,2 (1.北海道大工、2.RCIQE)
16:45 〜 17:00

[7p-N401-12]単一InAsコロイド量子ドットトランジスタにおける電気伝導特性

〇柴田 憲治1、滝口 智稀1、佐藤 明1、佐々木 悠人1、大塚 朋廣2 (1.東北工大、2.東北大通研)
17:15 〜 17:30

[7p-N401-13]Si量子ドットへの不純物イオンドーピング

〇米津 和正1、水野 智久1 (1.神奈川大学理)
17:30 〜 17:45

[7p-N401-14]Si量子ドット含有SiOx薄膜の光学特性およびMISデバイスの電気的特性評価

〇近藤 利哉1、勝俣 裕1 (1.明大理工)
17:45 〜 18:00

[7p-N401-15]緑色発光InGaN/GaN量子ドットのキャリア緩和ダイナミクス

〇尾崎 玲帆1、中間 優斗1、岩崎 陸1、竹内 淳1、Shulong Lu2、Xue Zhang2、Wenxian Yang2 (1.早大理工、2.蘇州ナノテク研究所)
18:00 〜 18:15

[7p-N401-16]GaAsバルクにおける電子スピン緩和時間の定量的評価

〇揖場 聡1、大野 裕三1,2 (1.産総研、2.筑波大)
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