[7p-N401-1~16] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

15:15 〜 15:30

[7p-N401-7] GaNAs量子井戸で挟まれたInGaAs量子ドットの円偏光発光特性の印加電圧依存性

〇中舘 恭太¹、木瀬 寛都¹、森田 彩乃¹、高山 純一¹、村山 明宏¹、樋浦 諭志¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：

希薄窒化物半導体、量子ドット、電子スピン偏極率