講演情報
[7p-N401-8]InAs量子ドット層を含むGaAs結晶の光変調反射スペクトルに対する窒素層導入効果
〇小島 磨1、井上 知也2、喜多 隆2 (1.千葉工大工、2.神戸大院工)
キーワード：
InAs量子ドット、光変調反射スペクトル、窒素層
InAs量子ドットをGaAsでキャップする際に、窒素層を導入すると、量子ドットの光学特性が変化することが知られている。それに対して、GaAsで生じる光学特性の変化は明らかではないことから、これを明らかにすることを目的に光変調反射スペクトルを測定した。その結果、窒素層によってwetting layerによる応答が消滅したり、表面電場の強度が変化する可能性が得られた。