講演情報
[7p-N401-9]InGaNナノプレートレットの選択的エッチングおよび再成長による波長制御と欠陥軽減化
〇(DC)韓 青原1、蔡 文トウ2、王 嘉2,3、伊藤 佑太1、古澤 優太2、王 海涛2、鄭 惠貞1,2,4、Pristovsek Markus2、本田 善央2,3,4、天野 浩2,3,4 (1.名大電子、2.名大IMaSS、3.名大高等研究院、4.名大Dセンター)
キーワード：
マイクロLED、RGBモノリシック集積、選択的結晶成長
我々は、選択的エッチングを用いたナノプレートレット構造の高さ制御により、単一の再成長プロセスで6つの異なる波長を150 µm×150 µm以内の領域で実現した。
具体的には、初期のMOVPE成長により得られた高品質InGaNナノプレートレットを対象に、湿式および乾式エッチングを用いて段階的に異なる厚さに調整した後、一括して再成長を行った。その結果、厚さに応じた歪み緩和により、異なるIn組成を有するナノプレートレットのc面が欠陥なく形成され、400 nm～540 nmまで幅広い波長制御が可能となった。
AFMおよびSEM観察によってナノプレートレットの形態と表面品質を確認し、CL測定により発光波長の変化を評価した。これらの結果から、本手法が高効率でフルカラーµLEDのモノリシック集積化を実現する有望な手段となることが示された。
具体的には、初期のMOVPE成長により得られた高品質InGaNナノプレートレットを対象に、湿式および乾式エッチングを用いて段階的に異なる厚さに調整した後、一括して再成長を行った。その結果、厚さに応じた歪み緩和により、異なるIn組成を有するナノプレートレットのc面が欠陥なく形成され、400 nm～540 nmまで幅広い波長制御が可能となった。
AFMおよびSEM観察によってナノプレートレットの形態と表面品質を確認し、CL測定により発光波長の変化を評価した。これらの結果から、本手法が高効率でフルカラーµLEDのモノリシック集積化を実現する有望な手段となることが示された。