講演情報
[7p-N403-4]Mg2Si-pn接合ダイオードの少数キャリア寿命の温度依存性の調査
〇勝俣 響1、古田 良輔1、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大)
キーワード：
少数キャリア寿命、シリサイド半導体、フォトダイオード
我々は、安価で汎用性の高いSWIRセンサの実現に向け、n型Mg2Si基板にp型不純物Agを熱拡散して作製したpn接合フォトダイオードの特性向上を検討している。本研究では、暗電流や受光感度に関係する少数キャリア寿命に着目し、OCVD法を用いて330K～230Kの温度範囲でその温度依存性を評価した。その結果、温度低下に伴い寿命が増加する傾向が再現性をもって確認された。