[7p-P01-1~15] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[7p-P01-3] 室温プラズマCVD法によるSiCxNyOz成膜過程の速度論的解析

〇羽深 等¹ (1.横国大院理工)

キーワード：

プラズマCVD、SiCxNyOz film、反応速度論

室温平行平板プラズマ励起化学気相堆積（PECVD）法による非晶質SiC_xN_yO_z膜の膜厚と組成を、前駆体の分圧と電流値の積からなる四次多項式により記述できることが報告された。本研究ではその式を活用し、成膜過程を気相反応、表面反応とエッチングに分けて考察することを試みた。