講演情報
[7p-P02-2]SiO:CH/Li薄膜における炭酸化防止のためのキャップ層の形成
渡辺 光輝1、〇安部 春菜1、井上 泰志1、高井 治2 (1.千葉工大工、2.表面・超原子研)
キーワード：
有機基含有シリカ、プラズマCVD ・スパッタリング複合装置、キャップ層
Liの炭酸化を防ぐキャップ層を形成することを目的とし，プラズマCVD・スパッタリング複合装置を用いて成膜を行った．IR測定結果では，キャップ層成膜時の原料(TMMOS)分圧比が15%であるときにC-Oのピークが検出されなかった．また，Si-CH3およびC-H，O-Hのピークが確認できたことから，炭酸化を防止するSiO:CHのキャップ層が生成されたと考えられる．