講演情報
[7p-P03-11]4 元系ホイスラー合金CoFeCrAl の磁気体積効果
〇重田 出1、辻川 総一郎1、郷地 順2、梅津 理恵3、鹿又 武4、上床 美也2、廣井 政彦1 (1.鹿大院理工、2.東大物性研、3.東北大金研、4.東北学院大院工)
キーワード：
スピンギャップレス半導体、ホイスラー合金、磁気体積効果
我々は，スピンギャップレス半導体であると期待される4元系ホイスラー合金CoFeCrAlの磁気特性の圧力効果を調べた。10 Kの磁化曲線M(H)から常圧下の自発磁化Msは2.01 μB/f.uと見積もられ，磁気モーメントがSlater-Pauling則に従った。さらに，M(H)の圧力依存性を調べたところ，Msが圧力に依存しないことも明らかになった。これらは，CoFeCrAlのダウンスピンバンドの状態密度においてフェルミエネルギーでギャップが存在するため，CoFeCrAlが高いスピン分極率を有する機能性材料であることを支持する結果である。