[7p-S103-1~11] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術（２）

13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[7p-S103-1] 自己組織化単分子膜上での原子層堆積による金属酸化物ナノ構造設計

〇(D)小野 赳¹、細見 拓郎¹、斉藤 光²、正井 宏³、池内 みどり²、劉 江洋¹、田中 航¹、高橋 綱己¹、寺尾 潤³、柳田 剛^1,2 (1.東大院工、2.九大先導研、3.東大院総合文化)

キーワード：

原子層堆積、自己組織化単分子膜、蛍光

有機分子存在下でALDを行うことで、分子を鋳型とした空孔を有する金属酸化物を作製し、分子選択性を発現する試みがなされている。しかしながら、ALD中の鋳型分子の脱離、凝集等の不安定性が存在する。本研究では、化学的に安定な自己組織化単分子膜 (SAM) を活用した。ALD反応性のOH基と、蛍光プローブとして機能するピレン鋳型を有する混合SAMを作製し、混合SAM上でALDを行うことで、鋳型の脱離や凝集を防ぎつつ金属酸化物成膜を達成した。