講演情報
[7p-S103-2]新規Sn原料を用いたMOALD-SnO2膜の評価
〇(M1)安藤 昌輝1、大下 祥雄2、沼田 敏典2、Lee Hyunju4、町田 英明3、小椋 厚志1,4 (1.明治大学理工学、2.豊田工業大学、3.気相成長株式会社、4.MREL)
キーワード：
スズオキサイド、電子輸送層、原子層堆積法
本研究では、ペロブスカイト／シリコンタンデム太陽電池用ETLとTCO材料として、プラズマを用いず中温（240℃）で成膜可能な新規Sn原料DIPRoBA₂Snを用いたSnO₂薄膜のMOALD成膜を実施し、得られたSnO2膜についての評価を行う。得られた膜からの光電子スペクトルからはSn–O結合が確認され、近赤外で90%以上、可視域でも高い透過率を示した。酸化剤の種類や投入順による膜の比較検討も行う。