講演情報
[7p-S103-5]原子層堆積（ALD）法による表面量子ドットの清浄化とパッシベーション
モハンマディ ハニフ1、ロカ ロネル1、岩田 直高1、〇神谷 格1 (1.豊田工大)
キーワード：
半導体、量子ドット、パッシベーション
前の講演でALD成膜される金属酸化物薄膜により、エピタキシャル成長されたGaAs(001)上のInAs量子ドットの歪み抑制パッシベーション被覆を実現させたが、この量子ドットは一旦大気暴露されており、表面準位や汚染の除去が必要である。本研究では、ALDで用いる原材料にその機能があることを示すと共に、その機構の解明を目指した。その結果、有機金属源に表面浄化作用が含まれていて、化学的に適正材料の選択でその効果が増大できることが判明した。