講演情報
[7p-S203-16]ポリマーアシストSiC熱分解グラフェン成長における基板オフ角の影響
〇(M2)仁科 匠人1、乗松 航1 (1.早大理工)
キーワード：
グラフェン、ステップバンチング、表面形態
SiC(0001)基板に予めポリマーを塗布して加熱すると、ポリマーを炭素源としたグラフェンが形成される。この手法はポリマーアシスト熱分解成長（PASG）法と呼ばれ、ステップバンチングを抑制したグラフェン形成が可能である。一方で、オフ角を持つSiC基板に対してPASG法によりグラフェン形成を行った報告はない。本研究では、PASG法によるグラフェン形成におけるオフ角およびポリマー濃度の影響を調べた。