セッション詳細
[8a-N105-1~10]21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
2025年9月8日(月) 9:00 〜 11:45
N105 (共通講義棟北)
北村 雅季(神戸大)
[8a-N105-6]極性In2O3(100)比向上によるTFTガスセンサーのCO2高感度化
〇(M1)海老澤 雄一朗1、車 振赫2、山口 智広1、相川 慎也1 (1.工学院大、2.全南大)
[8a-N105-7]ZnGa2O4多結晶薄膜におけるインピーダンスの温度依存性に基づく光励起キャリア伝導の評価
〇加瀬 伶也1、飯塚 知己1、小熊 佑弥1、小曽根 崇1、山本 和貫2、石井 聡1 (1.東京電機大、2.千葉大院工)
[8a-N105-8][第58回講演奨励賞受賞記念講演] In2O3:Hのギャップ内状態密度分布の直接観察と薄膜トランジスタ不安定性の起源 Ⅱ
〇中澤 遼太郎1、曲 勇作2,3、福谷 圭祐1、太田 裕道3、解良 聡1 (1.分子研、2.高知工科大、3.北大電子研)
[8a-N105-9]原子層堆積法で成膜した多結晶In2O3およびGa添加In2O3チャネル電界効果トランジスタにおける電界効果移動度の支配要因に関する考察
〇高橋 崇典1、星井 拓也2、霍間 勇輝3、砂川 美佐3、笘井 重和3、朴 鍾鎬2、玉元 海樹2、角嶋 邦之2、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.東京科学大、3.出光興産)
[8a-N105-10]Investigation on channel thickness and annealing condition on PBS and NBS instability in AlOx-passivated ultrathin InOx FETs
〇CHIATSONG CHEN1, Kasidit Toprasertpong2, Toshifumi Irisawa1, Wen-Hsin Chang1, Shinji Migita1, Yukinori Morita1, Hiroyuki Ota1, Tatsuro Maeda1 (1.AIST, 2.The Univ. of Tokyo)