2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[8a-N105-1~10]21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2025年9月8日(月) 9:00 〜 11:45
N105 (共通講義棟北)
9:00 〜 9:15

[8a-N105-1]大電力パルスマグネトロンスパッタを用いたIGZOの低温成膜

〇永田 健人1、竹中 弘祐2、節原 裕一2、太田 貴之1 (1.名城大理工、2.阪大接合研)
9:15 〜 9:30

[8a-N105-2]大電力パルスマグネトロンスパッタを用いた酸化インジウムの成膜

〇堀川 大貴1、竹中 弘祐2、節原 裕一2、太田 貴之1 (1.名城大理工、2.阪大接合研)
9:30 〜 9:45

[8a-N105-3]In2O, H2O原料ガスを用いた酸化インジム結晶成長：熱力学解析と成長挙動の実験的評価

〇富樫 理恵1、石川 真人2 (1.上智大理工、2.気相成長（株）)
9:45 〜 10:00

[8a-N105-4]Ceドープ水素化酸化インジウム薄膜(ICO:H)の結晶粒内の揺らぎ評価

〇工藤 晃哉1,2、陳 家驄1、前田 辰郎1 (1.産総研、2.千葉大学)
10:00 〜 10:15

[8a-N105-5]溶液法IGZO-TFTsのオゾン反応に対するアルカリ水酸化物の添加効果

〇笹島 宏青1、森本 貴明1、石井 啓介1 (1.防衛大)
10:15 〜 10:30

[8a-N105-6]極性In2O3(100)比向上によるTFTガスセンサーのCO2高感度化

〇(M1)海老澤 雄一朗1、車 振赫2、山口 智広1、相川 慎也1 (1.工学院大、2.全南大)
10:30 〜 10:45

[8a-N105-7]ZnGa2O4多結晶薄膜におけるインピーダンスの温度依存性に基づく光励起キャリア伝導の評価

〇加瀬 伶也1、飯塚 知己1、小熊 佑弥1、小曽根 崇1、山本 和貫2、石井 聡1 (1.東京電機大、2.千葉大院工)
11:00 〜 11:15

[8a-N105-8][第58回講演奨励賞受賞記念講演] In2O3:Hのギャップ内状態密度分布の直接観察と薄膜トランジスタ不安定性の起源 Ⅱ

〇中澤 遼太郎1、曲 勇作2,3、福谷 圭祐1、太田 裕道3、解良 聡1 (1.分子研、2.高知工科大、3.北大電子研)
11:15 〜 11:30

[8a-N105-9]原子層堆積法で成膜した多結晶In2O3およびGa添加In2O3チャネル電界効果トランジスタにおける電界効果移動度の支配要因に関する考察

〇高橋 崇典1、星井 拓也2、霍間 勇輝3、砂川 美佐3、笘井 重和3、朴 鍾鎬2、玉元 海樹2、角嶋 邦之2、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.東京科学大、3.出光興産)
11:30 〜 11:45英語発表

[8a-N105-10]Investigation on channel thickness and annealing condition on PBS and NBS instability in AlOx-passivated ultrathin InOx FETs

〇CHIATSONG CHEN1, Kasidit Toprasertpong2, Toshifumi Irisawa1, Wen-Hsin Chang1, Shinji Migita1, Yukinori Morita1, Hiroyuki Ota1, Tatsuro Maeda1 (1.AIST, 2.The Univ. of Tokyo)
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