[8a-N105-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:15 〜 11:30

[8a-N105-9] 原子層堆積法で成膜した多結晶In₂O₃およびGa添加In₂O₃チャネル電界効果トランジスタにおける電界効果移動度の支配要因に関する考察

〇高橋 崇典¹、星井 拓也²、霍間 勇輝³、砂川 美佐³、笘井 重和³、朴 鍾鎬²、玉元 海樹²、角嶋 邦之²、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.東京科学大、3.出光興産)

キーワード：

酸化物半導体、電界効果トランジスタ、原子層堆積法