[8a-N201-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[8a-N201-2] AlScシード層によるAlScN薄膜の強誘電分極方向制御

〇(DC)鬼村 和志¹、呉 研^1,2、小林 宏之²、角嶋 邦之^1,2 (1.科学大工、2.科学大住化協研拠点)

キーワード：

強誘電体、AlScN、ウルツ鉱

AlScN（窒化アルミニウムスカンジウム）は内部に持つ大きな自発分極により、次世代の強誘電体材料として期待されている。近年では電気光学素子への応用が検討され、分極の方向を制御する方法が模索されている。本研究では、AlScNの製膜時に下地に薄いAlScシード層を導入することで、電圧による分極反転を必要とせずに分極方向を制御することに成功した。