講演情報
[8a-N201-4]PLD法を用いたYAlN薄膜作製の検討
〇(M2)橋本 收平1、高木 亮佑1、岩崎 光志1、藤谷 海斗1、堀田 育志1 (1.兵庫県立大工)
キーワード：
窒化アルミニウム、パルスレーザー堆積法
AlNは無含鉛で高耐熱・高耐久性を有する圧電材料として注目されているが、圧電性向上には希少金属Scの添加が必要である。近年、低コストな代替元素としてYが提案されているが、酸化による膜品質の劣化が課題である。本研究では、酸化を抑え高品質なYAlN薄膜を形成するため、PLD法による成膜を試みた。AlN薄膜の構造評価に加え、焼結YAlNターゲットおよびデルタドープ法による添加法の検討結果を報告する。