[8a-N201-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[8a-N201-5] (Al,Sc)N強誘電体薄膜のスイッチング特性に及ぼす面内配向及び格子歪みによる効果

〇河野 駿平¹、岡本 一輝¹、影山 壮太郎¹、孫 納納¹、安岡 慎之介¹、舟窪 浩¹ (1.東京科学大学)

キーワード：

強誘電体材料、薄膜

(Al,Sc)N強誘電体薄膜はCMOSプロセスとの高い親和性に加えて、高い残留分極値を示す等の利点がある。一方で、分極反転に必要な抗電界が大きいことが課題である。抗電界の低下に向け、(Al,Sc)N強誘電体薄膜のスイッチング特性の解明は重要であり、盛んに研究されている。本発表では種々の基板上に一軸配向膜を作製し、エピタキシャル膜と比較することで、スイッチング特性に及ぼす格子歪み及び面内配向の影響について調査を行ったので報告する。