[8a-N201-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

10:15 〜 10:30

[8a-N201-6] Si基板上（Ce,Mn）共置換ZnO薄膜における応力と電気的特性の評価

〇大磯 裕也¹、阪口 萌生¹、藤村 紀文¹、吉村 武¹ (1.阪公大院工)

キーワード：

強誘電体薄膜、ZnO

酸化亜鉛(ZnO)は、c軸方向に自発分極を持つウルツ鉱型圧電体であり、センサや共振器への応用が広く検討されている。ZnO薄膜における強誘電性の発現には、応力が重要な役割を果たすことが知られている。そこで本研究では、低温成長により残留応力を低減した（Ce,Mn）共置換ZnO薄膜の配向膜およびエピタキシャル膜を作製し、結晶構造や電気的特性を調べた。