講演情報
[8a-N201-9]Si直上Al0.7Sc0.3N薄膜の抵抗変化特性の解析
〇安岡 功樹1、青木 悠佑1、山田 洋人1、藤村 紀文1、吉村 武1 (1.阪公大工)
キーワード：
強誘電体薄膜、AlScN、不揮発性メモリ
Al1-xScxN薄膜は大きな自発分極を有し、CMOS互換性を備えた強誘電体材料として注目を集めており、不揮発性メモリへの応用へ関心が高まっている。一方で、AlScNをSi基板上に直接製膜したヘテロ接合の作製の報告は限られている。そこで本研究ではSi(111)基板上にAlScNを製膜し、その上に金属電極を形成することでMFS構造を持つ素子を作製した。電気的特性、特に分極方向に依存した抵抗変化現象に着目した解析を行った。