講演情報
[8a-N301-10]AlGaN系UV-Bレーザーダイオードにおける高注入効率動作（ηi>50%）の実証
〇(M2)齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、丸山 竣大1、佐々木 祐輔1、狩野 祥吾1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、渡辺 崚太1、宮本 侑茉1、神谷 始音1、岩山 章1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工)
キーワード：
窒化物、紫外レーザ、有機金属気相成長法
AlGaN系UV-Bレーザーダイオードにおいて、MOVPE法による750℃の低温成長により、EBL/p-guide界面のAl組成傾斜層の膜厚を制御した。その結果、キャリア注入効率（ηᵢ）は従来の18％から50％超へと約2.8倍向上し、最大光出力は521 mWに達した。分極ドーピングを導入したUV LDにおける高注入効率動作の実証は世界初であり、高効率・高出力なUV LD実現に向けた重要な成果である。