講演情報

[8a-N301-5]275 nm帯AlGaN量子井戸LEDの劣化対策

〇秩父 重英1、嶋 紘平1、奥野 浩司2、大矢 昌輝2、宮﨑 敦嗣2、坊山 晋也2、齋藤 義樹2、本田 善央3、天野 浩3、石黒 永孝4、竹内 哲也4 (1.東北大多元研、2.豊田合成、3.名大IMaSS、4.名城大理工)

キーワード:

窒化物半導体、深紫外LED、フォトルミネッセンス

275nm帯AlGaN量子井戸LEDの初期劣化要因を明らかにして対策を施したLEDの特性と現状について述べる