講演情報
[8a-N301-7]AlGaN系UV-B屈折率導波型半導体レーザーの光学特性の依存性とエッチング影響
〇(M2)三宅 倫太郎1、齋藤 功夢1、丸山 竣大1、狩野 祥吾1、佐々木 裕輔1、神谷 始音1、渡辺 崚太1、宮本 侑茉1、橘田 直樹1、加藤 晴也1、岩山 章1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、三宅 秀人2 (1.名城大理工、2.三重大工)
キーワード：
半導体レーザ
本研究では、格子緩和AlGaNテンプレート上にUV-B LDを作製し、リッジ導波路構造の導入による特性改善を検討した。活性層からの膜厚Xに注目し、エッチング量とαiの関係を評価した結果、Al組成差の大きい界面のエッチングが特性劣化要因であることが示唆された。