講演情報
[8a-N301-8]AlGaN系UV-Bレーザーにおける低温成長の利得特性改善効果
〇(M2)丸山 竣大1、齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、佐々木 祐輔1、狩野 祥吾1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、渡辺 崚太1、宮本 侑茉1、神谷 始音1、岩山 章1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工)
キーワード：
半導体レーザ
本研究では、AlGaN系UV-Bレーザーダイオードの光学特性に及ぼす結晶成長温度の影響を評価した。MOVPEにより750～1000℃で作製した試料を用い、VSL法によってネットモード利得と利得スペクトルを解析した。その結果、成長温度の低下により、利得のしきい励起密度が低減し、スペクトルの半値幅も狭小化するなど、光学利得特性の顕著な改善が確認された。これは、結晶成長の低温化が利得特性の改善に寄与していることを示唆している。